特許

J-GLOBAL ID：200903095133510180

半導体レーザの製造方法

発明者： 佐々木 達也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013418
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232492
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 選択成長により形成された活性層を有する半導体レーザにおいて、電流狭搾構造を導入することにより、高出力特性や高速応答特性に優れた素子を得る。【構成】 あらかじめ電流狭搾構造3,4を積層した基板1の導波領域において、電流狭搾構造をエッチングして溝22を形成した後、溝22を埋め込むようにクラッド層5を成長して溝を平坦化するとともに、引き続いて活性層6を含む構造を選択的に形成する。

請求項（抜粋）：

表面に電流狭搾構造を形成した半導体基板の導波領域において、前記電流狭搾構造をストライプ状に除去して溝を形成した後、前記溝に接して形成した2本の成長阻止ストライプマスクを用いて、半導体クラッド層を前記溝を平坦に埋め込むように成長し、さらに引き続いて半導体活性層および半導体クラッド層を連続して成長する工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。