特許

J-GLOBAL ID：200903095137946404

マイクロパターンの形成方法、マイクロパターン、マイクロパターン転写形成用モールドの作製方法、及びマイクロパターン転写形成用モールド

発明者： 杉村 博之 ,  齋藤 永宏 ,  高井 治
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (8件)： 杉村 興作 ,  高見 和明 ,  徳永 博 ,  藤谷 史朗 ,  来間 清志 ,  大山 健次郎 ,  冨田 和幸 ,  阿相 順一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-293411
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064289
出願日： 2003年08月14日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 簡易な工程で高密度のマイクロパターンを形成することのできる新規な方法を提供する。【解決手段】 第1の基板11上に有機単分子膜12を形成した後、有機単分子膜12をフォトリソグラフィ技術によって微細加工し、有機単分子膜パターン14を形成する。次いで、有機単分子膜パターン14上に薄膜15を選択成長させ、第2の基板16に転写することにより、第2の基板16に薄膜15よりなるマイクロパターン17を形成する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

第1の基板上に有機単分子膜を形成する工程と、 前記有機単分子膜をフォトリソグラフィ技術によって微細加工し、有機単分子膜パターンを形成する工程と、 前記有機単分子膜パターン上に、薄膜を選択成長させる工程と、 前記薄膜を第2の基板上に転写し、前記第2の基板上に前記薄膜よりなるマイクロパターンを形成する工程と、 を具えることを特徴とする、マイクロパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H05K3/20 ,  C23C18/16 ,  H01L21/027

FI (3件)：

H05K3/20 B ,  C23C18/16 A ,  H01L21/30 502D

Fターム (18件)：

4K022AA04 ,  4K022AA13 ,  4K022AA32 ,  4K022AA50 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022CA04 ,  4K022DA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343BB02 ,  5E343BB03 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343DD56 ,  5E343ER32 ,  5E343GG08 ,  5F046BA10