特許
J-GLOBAL ID：200903095140490586
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-261797
公開番号（公開出願番号）：特開平6-110215
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】化学増幅型レジストを用いフォトリソグラフィ技術によってパターンを形成する方法において、PEB処理の温度および/または時間を同処理中において制御する。【構成】被処理基板22上に化学増幅型レジストからなるレジスト層21を形成し、レジスト層21にパターン露光する。露光後のレジスト層21をPEB処理し、更に現像処理して、その露光部を選択的に除去または残存させ、所望のパターンを得る。前記PEB処理時に、レジスト層21で発生して気化した成分に赤外光16を入射し、透過光を赤外分析系15によって分析する。この分析結果を信号化し、可変抵抗器133にフィードバックする。而して、可変抵抗器133を作動させ、電熱線132、更にはホットプレート12の温度を調節し、PEB処理の温度を最適な状態にする。
請求項（抜粋）：
被処理基板上に化学増幅型レジストからなるレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層にパターン露光する工程と、露光後のレジスト層を加熱処理する工程と、加熱処理後のレジスト層を現像処理し、該レジスト層の露光部を選択的に除去または残存させる工程とを具備するパターン形成方法であって、前記露光後のレジスト層を加熱処理する工程において、該レジスト層内で発生または変化する化学成分を分析および定量化し、該化学成分量に応じて加熱温度および/または加熱時間を制御することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/38 511
, H01L 21/027
