特許
J-GLOBAL ID：200903095143207206
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-183950
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019781
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】受光面積を維持しながらセルの面積を縮小することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】まず、半導体基板10上に複数の素子分離領域11を形成する。そして、素子分離領域11間に挟まれた活性領域の内部にp型不純物を導入してp型ウェル10aを形成する。次に、このp型ウェル10aの深部にイオン注入法を使用してn型半導体領域である電荷蓄積領域12を形成する。これにより、フォトダイオードPDを半導体基板10の表面から離れた深部に形成する。その後、電荷蓄積領域12の離間した上部に電荷転送用のMISトランジスタTr2を形成し、フォトダイオードPDとMISトランジスタTr2とを縦構造にする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
入射した光を電荷に変換するセルを半導体基板に複数備える固体撮像装置であって、
前記セルは、
(a)前記電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、
(b)前記電荷蓄積領域に蓄積された前記電荷を前記セルの外部へ転送する電界効果トランジスタとを備え、
前記電荷蓄積領域は、第1導電型の不純物を前記半導体基板の内部に導入して形成された半導体領域であり、
前記電荷蓄積領域を前記半導体基板の素子形成面上に射影した場合、前記電荷蓄積領域と前記電界効果トランジスタのドレイン領域とは重なり合う領域を有することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 P
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118EA01
, 4M118EA06
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA27
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GY01
, 5C024GY31
, 5C024GZ01
, 5C024HX01
, 5C024HX02
, 5C024HX40
, 5C024HX41
