特許

J-GLOBAL ID：200903095144573699

半導体装置およびその製造方法

発明者： 斉藤 尚史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050276
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246182
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜を活性層とする半導体装置の製造方法において、結晶粒界の極めて少ない大粒径の結晶粒を有する多結晶シリコン薄膜を形成し、かつ、この多結晶シリコン薄膜を活性層とする高電界効果移動度を有し、かつオフ時のリーク電流の少ない半導体装置を実現する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板上に下地膜と、非晶質シリコン薄膜と、窒化シリコン膜を順に堆積し、その後、非晶質シリコン薄膜上に非晶質シリコン薄膜よりも比熱容量の小さい材料を所定の間隔で選択的に配置し、絶縁性基板の裏面側よりレーザー光を照射して結晶化を行い結晶性半導体薄膜とする。その後所定の間隔で配置された比熱容量の小さい材料間にあたる領域の窒化シリコン膜を除去して結晶性半導体薄膜の表面を露出させた後、その領域を膜厚方向に一部熱酸化することにより薄膜化を行う。また、窒化膜によるマスクパターンは比熱容量の小さい材料をマスクとした裏面露光により形成される。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板の第1の表面上に非晶質半導体薄膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体薄膜上に窒化シリコン膜を堆積する工程と、前記窒化シリコン膜上に前記非晶質半導体薄膜よりも比熱容量の小さい材料を所定の間隔で配置する工程と、前記絶縁性表面を有する基板の第2の表面側からレーザー光を照射して前記非晶質半導体薄膜を結晶化させ、結晶性半導体薄膜とする工程と、前記比熱容量の小さい材料間の領域の前記窒化シリコン膜を除去して結晶性半導体薄膜の表面を露出させる工程と、前記露出した前記結晶性半導体薄膜を膜厚方向に一部分を熱的に酸化させる工程と、前記膜厚方向に一部分を熱的に酸化された領域の結晶性半導体薄膜を少なくとも半導体素子のチャネル領域となるように加工する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G