特許
J-GLOBAL ID：200903095144879356
半導体整流素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261275
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075100
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 リーク電流の少ない半導体整流素子素子得る。【構成】 半導体基体1の一対の主表面間に、一方の主表面11に隣接する第1導電型の第1の半導体領域13と、他方の主表面12及び前記の第1の半導体領域に隣接し、第1の半導体領域より高不純物濃度を有する第1導電型の第2の半導体領域14と、一方の主表面上で第1の半導体領域との間にショットキー接合を形成する第1の主電極2と、他方の主表面で第2の半導体領域とオーミック接触する第2の主電極3と、ショットキー接合の周辺部に一方の主表面上から第1の半導体領域内に延在し第1の主電極に接する第2導電型の第3の半導体領域15によるガードリングと、さらにその内側に第3の半導体領域よりも低不純物濃度を有する第2導電型の第4の半導体領域を第3の半導体領域に接するように形成して構成される。
請求項（抜粋）：
ショットキー接合を持ったガードリング付きの半導体整流素子において、前記ガードリングは、該ガードリングと該ガードリングを内在させている半導体領域とによるpn接合部が前記ショットキー接合と鈍角で交叉するように形成されることを特徴とする半導体整流素子。
引用特許：
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