特許
J-GLOBAL ID：200903095148794070
半導体の製造方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-331981
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165554
出願日： 2002年11月15日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】処理室内に浮遊した異物の検出を、処理室内壁からの雑音光を低減させることで、高感度で行えるようにする。【解決手段】レーザビームを処理室内に照射し、処理室内の異物からの散乱光を検出することで処理室内の異物の有無を判定する際に、処理室内壁にレーザ光吸収体を設置して大きな雑音光となる処理室内壁からの反射及び散乱光を低減させることで、処理室内の異物からの散乱光を高い感度で検出できるようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理室内の被処理体に所望の半導体製造処理を施すステップと、光源からのレーザ光を前記処理室内に照射するステップと、前記処理室内に設けられた雑音光抑制ユニットによって、前記処理室内に照射されたレーザ光を吸収するステップと、前記処理室内の異物による散乱光を検出する検出ステップとを備えることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA08
, 4K030KA39
, 5F004AA15
, 5F004BA04
, 5F004BA14
, 5F004BB03
, 5F004BB29
, 5F004BB32
, 5F004BD01
, 5F004CB09
, 5F004EB01
