特許
J-GLOBAL ID：200903095150137272

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
柴田 和孝

柴田 和孝 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193657
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032820
出願日： 2003年07月08日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】小型化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】親チップ2に相当する複数の領域が密に形成されたウエハWに、ウエハWと子チップ3との間に間隙Sが形成されるように、子チップ3が接合される(図2(a))。次に、このウエハWの子チップ3が接合された面に、スピンコート法により、アンダーフィル材7の前駆体12であって熱硬化特性を有するものが塗布される。前駆体12は、毛細管現象により間隙Sに充填される(図2(b))。続いて、ウエハWの前駆体12が塗布された面に紫外線(UV)が照射され、これにより、間隙S外に存在する前駆体12の熱硬化特性が失われる(図2(c))。その後、ウエハWが加熱されて、間隙S内の前駆体12が硬化されてアンダーフィル材7にされた後、間隙S外にある未硬化の前駆体12が現像液により除去される(図2(d))。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
固体装置と半導体チップとの間に間隙が形成されるように、上記固体装置と上記半導体チップとを接合する接合工程と、 この接合工程の後、上記間隙を埋めるためのアンダーフィル材の前駆体であって、光の照射に応じて硬化特性が変化する前駆体を、上記間隙に充填する充填工程と、 この充填工程の後、上記前駆体の上記間隙外に存在する部分に光を照射する露光工程と、 この露光工程の後、上記前駆体の未硬化部分を除去する現像工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (2件)：
H01L25/08 B ,  H01L21/56 R
Fターム (4件)：
5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA04 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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