特許

J-GLOBAL ID：200903095152361501

半導体装置の製造方法

発明者： 斎藤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072038
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274097
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】DRAM等の半導体装置の製造法方法、特に、半導体装置のHSG-Si電極形成方法において、リンドープ非晶質シリコン表面上に安定して微結晶を形成する方法を提供する。【解決手段】不純物が添加されている非晶質シリコン層を有する基板の該非晶質シリコン層表面の自然酸化膜を除去する工程と、該基板を加熱処理する工程と、所定の分圧で珪素化合物ガスに前記基板をさらす工程と、および非酸化性ガス雰囲気下で前記基板を加熱処理する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記非晶質シリコン層表面の自然酸化膜を除去する工程の前に、前記基板を純水に浸す工程を有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

不純物が添加されている非晶質シリコン層を有する基板の該非晶質シリコン層表面の自然酸化膜を除去する工程と、該基板を加熱処理する工程と、所定の分圧で珪素化合物ガスに前記基板をさらす工程と、および非酸化性ガス雰囲気下で前記基板を加熱処理する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記非晶質シリコン層表面の自然酸化膜を除去する工程の前に、前記基板を純水に浸す工程を有する、半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 621 C