磁性層のエッチング方法、薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144445
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339223
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】磁性層の極微細な幅の寸法制御を可能とし、かつエッチング工程に要する時間を短縮できるエッチング方法を提供する。【解決手段】上部磁極層5上に、例えばスパッタ法により記録ギャップ層と同じ材料のアルミナからなる無機系絶縁膜6を形成する。この無機系絶縁膜6上にフォトリソグラフィによりフォトレジスト膜7(第1のマスク)を形成する。次に、フォトレジスト膜7をマスクとして、CF4 (四フッ化炭素),BCl3 (三塩化ボロン),Cl2 (塩素),SF6 (六フッ化硫黄)等のガスエッチャントを用いた反応性イオンエッチング(RIE)により、無機系絶縁膜6を選択的にエッチングして無機系絶縁マスク6a(第2のマスク)を形成する。この無機系絶縁マスク6aを用いて、例えばAr(アルゴン)のイオンミリングによって、上部磁極層5を選択的に除去する。

請求項（抜粋）：

磁性層を所望の形状に加工するための磁性層のエッチング方法であって、前記磁性層の表面に無機系絶縁膜を形成する工程と、前記無機系絶縁膜の表面に第1のマスクを形成する工程と、前記第1のマスクを用いた反応性イオンエッチングにより前記無機系絶縁膜を選択的に除去して第2のマスクを形成する工程と、前記第2のマスクを用いて前記磁性層を選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする磁性層のエッチング方法。

IPC (4件)：

G11B 5/31 , C23F 4/00 , G11B 5/127 , G11B 5/39

FI (5件)：

G11B 5/31 C , G11B 5/31 K , C23F 4/00 A , G11B 5/127 E , G11B 5/39

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭60-037130
特開昭62-046414
特開昭64-052211

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