半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251775
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090531
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】半導体装置及びその製造方法に関し,スタック型の半導体メモリの高集積化を阻害することなくキャパシタ容量を増加させた構造の半導体装置の提供を目的とする。【構成】半導体基板1上に形成されたキャパシタを有する半導体装置であって,キャパシタは複数の折り返しを有する連続せるキャパシタ絶縁膜11とキャパシタ絶縁膜11に接して両面に配置された第1の電極10及び第2の電極12からなる半導体装置により構成する。また,半導体基板1上に第1のスペーサ膜及び第2のスペーサ膜をこの順に被着し,または第1種のスペーサ膜と第2のスペーサ膜がこの順に積層された二重膜を複数組積層し,これらの膜を加工する製造工程により,上記構造のキャパシタを形成するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 上に形成されたキャパシタを有する半導体装置であって,該キャパシタは複数の折り返しを有する連続せるキャパシタ絶縁膜(11)と該キャパシタ絶縁膜(11)に接して両面に配置された第1の電極(10)及び第2の電極(12)からなることを特徴とする半導体装置。

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