特許
J-GLOBAL ID：200903095159893800
磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354627
公開番号（公開出願番号）：特開平10-188260
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】Li2 O-Al2 O3 -SiO2 系の磁気ディスク基板用結晶化ガラスにおいて、結晶化ガラスの表面を精密研磨加工した後の中心線平均表面粗さを顕著に低減し、100°Cから300°Cまでの熱膨張係数を80〜100×10-7/kの範囲内に制御できるようにする。【解決手段】磁気ディスク基板用結晶化ガラスの主結晶相が二ケイ酸リチウムである。X線回折法で求めた二ケイ酸リチウム相のピーク強度を100としたときのクリストバライト相のピーク強度が、20以上、50以下である。Cr2 O3およびMnO以外の金属酸化物の合計量を100重量部としたときに、1.0重量部以上、3.0重量部以下(好ましくは2.0重量部以下)のCr2 O3 と、1.0重量部以上、3.0重量部以下(好ましくは1.5重量部以上、2.5重量部以下)のMnOとを含有している。
請求項（抜粋）：
Li2 O-Al2 O3 -SiO2 系の磁気ディスク基板用結晶化ガラスであって、この磁気ディスク基板用結晶化ガラスの主結晶相が二ケイ酸リチウム(Li2 O・2SiO2 )であり、X線回折法で求めた二ケイ酸リチウム相のピーク強度I(L2S)を100としたときのクリストバライト相のピーク強度I(CR1)が20以上、50以下であり、かつ、Cr2 O3 およびMnO以外の金属酸化物の合計量を100重量部としたときに、1.0重量部以上、3.0重量部以下のCr2 O3 と、1.0重量部以上、3.0重量部以下のMnOとを含有していることを特徴とする、磁気ディスク基板用結晶化ガラス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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