特許
J-GLOBAL ID：200903095168458530
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206894
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061239
出願日： 1992年08月04日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体装置及びその製造方法に係り,特にバイポーラトランジスタの新規な構造とその形成方法に関し,高い遮断周波数と,低いベース抵抗,及び低いエミッタ抵抗を両立させる方法の提供を目的とする。【構成】 基板1上に形成された一導電型エピタキシャル半導体層13上に, 反対導電型の第一の半導体層6と, 一導電型の第二の半導体層7とが順にメサ型に積層され, 第一の半導体層6とエピタキシャル半導体層13との間, 及び, 第一の半導体層6と第二の半導体層7との間で, それぞれpn接合を構成し,第一の半導体層6,及び, 第二の半導体層7側壁に絶縁膜9からなるサイドウォールが形成され, エピタキシャル半導体層13内に第一の半導体層6と部分的に接続する反対導電型のコンタクト拡散層10が形成され, かつ, 半導体層13に接続する第一の電極12と, コンタクト拡散層10に接続する第二の電極16と, 第二の半導体層7に接続する第三の電極17とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1) 上に形成された一導電型エピタキシャル半導体層(13)上に, 反対導電型の第一の半導体層(6) と, 一導電型の第二の半導体層(7)とが順にメサ型に積層され, 該第一の半導体層(6) と該エピタキシャル半導体層(13)との間, 及び, 該第一の半導体層(6) と該第二の半導体層(7) との間で, それぞれpn接合を構成し,該第一の半導体層(6), 及び, 該第二の半導体層(7)側壁に絶縁膜(9) からなるサイドウォールが形成され, 該エピタキシャル半導体層(13)内に該第一の半導体層(6) と部分的に接続する反対導電型のコンタクト拡散層(10)が形成され, かつ, 該半導体層(13)に接続する第一の電極(12)と, 該コンタクト拡散層(10)に接続する第二の電極(16)と, 該第二の半導体層(7) に接続する第三の電極(17)とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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