特許

J-GLOBAL ID：200903095168857973

Mn2O3粒子を含有する半導体用研磨剤

発明者： 遠藤 一明 ,  次田 克幸
出願人/特許権者： セイミケミカル株式会社
代理人 (1件)： 小池 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157276
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349052
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス製造におけるCu等の金属のCMP用として十分な研磨速度を有する研磨剤を提供する。【解決手段】 Mn2 O3 粒子からなる砥粒を含有する研磨剤を使用し、これにより半導体基板上に形成されたCu等金属層のCMP研磨を行う。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの製造工程における化学的機械研磨用研磨剤であって、Mn2 O3 粒子からなる砥粒が含有され、半導体基板上に形成された金属層を研磨するための研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (3件)：

H01L 21/304 622 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 3/14 550 D