特許
J-GLOBAL ID：200903095172138795
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-158890
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335300
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 塗布絶縁膜の水分の吸収を完全に排除する。【構成】 下地面上に塗布絶縁膜5を形成し、この塗布絶縁膜5上に半導体保護膜6を形成した半導体装置において、塗布絶縁膜5の露出端部を半導体保護膜6で被覆する。
請求項（抜粋）：
下地面上に塗布絶縁膜を形成し、この塗布絶縁膜上に半導体保護膜を形成した半導体装置において、前記塗布絶縁膜の露出端部を前記半導体保護膜で被覆したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/3205
