特許

J-GLOBAL ID：200903095174513100

発光ダイオードアレイの製造方法

発明者： 小泉 真澄 ,  登 正治 ,  藤原 博之 ,  中村 幸夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224958
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070308
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 P電極としてのAl膜のエッチング速度の高速化を図ると共に、拡散マスクのエッチングを防止することができる発光ダイオードアレイの製造方法を提供する。【解決手段】 Al2 O3 又はAlNからなる拡散マスク23を成膜する工程と、この拡散マスク23をパターニングする工程と、拡散保護膜24を形成する工程と、第1層の電極膜としてAl膜26-1を、第2層の電極膜としてNi膜26-2を同一真空中で連続して形成する工程と、前記第1層の電極膜26-1と第2層の電極膜26-2をリン酸によりパターニングし、P電極29を形成する工程とを施すようにしたものである。

請求項（抜粋）：

(a)Alを含む絶縁物からなる拡散マスクを成膜する工程と、(b)該拡散マスクをパターニングする工程と、(c)拡散保護膜を形成する工程と、(d)第1層の電極膜としてAl膜を、第2層の電極膜としてNi膜を同一真空中で連続して形成する工程と、(e)前記第1層の電極膜と第2層の電極膜をリン酸によりパターニングし、電極を形成する工程とを施すことを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 N