特許

J-GLOBAL ID：200903095177053380

MCM用シリコン基板とその製造方法

発明者： 渕 澤 尚 行 ,  荒 木 昌 二 郎 ,  津 波 古 充 吉
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194597
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041468
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Si基板の比抵抗値を1桁以上下げ、誘電体の耐圧が増し漏洩電流が少ないデカップリングコンデンサとそれを含むMCM用Si基板の製造法を提供する。【解決手段】 Si基板1上に比抵抗値がSi基板より1桁以上低いMoSi2層2を形成し、Si基板と共に下部電極を構成する。次にMoSi2層上に良質な誘電体であるSiO2絶縁層3とその上に複数の上部電極4を形成し、その上に保護膜9を形成し前記電極間も絶縁保護する。さらに複数の上部電極間でMoSi22上に引出し電極5を形成し、上部と下部電極に各引出し端子a1,b1を形成する。こうしてSiO2層3を誘電体として上部電極とMoSi2の下部電極2との間にデカップリングコンデンサが構成される。従って複数の上部電極4の引出し端子a1の間に電源回路等を設けた場合、回路に生じる有害高周波電流は引出し電極5と端子b1を経て接地される。良質SiO2はMoSi2表面を酸化して得られる。

請求項（抜粋）：

一つの面に6A族金属のシリサイド層を形成して下部電極層としたシリコン基板と、この下部電極層の上に形成した二酸化珪素の絶縁層(誘電体層)と、この絶縁層の上に形成した配線用を兼ねた上部電極とから構成したデカップリングコンデンサを含むことを特徴とするMCM用シリコン基板。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/285 301 S ,  H01L 25/04 Z ,  H01L 27/10 651