特許
J-GLOBAL ID：200903095183076988
混成集積回路装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041200
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243287
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 微小サイズの半導体素子の半田固着が可能なダイボンドパッドを提供することを目的とする。【構成】 パッド(24)等の回路パターンは接着性を有する熱硬化性絶縁樹脂と銅箔とのクラッド材を絶縁金属基板にホットプレスし、銅箔をホトエッチングして形成される。パッド(14)には周辺で幅広となる複数の溝(25)が同時形成される。図の破線で示す矩形領域に印刷され、リフロー時に溶融する半田は、溝(25)に吸収され、また、溝(25)に沿ってパッド(14)の周辺部に流動するため、平坦な半田面が得られ、半導体素子が水平に固着される。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、この絶縁性基板上に所定形状に形成された回路パターンと、この回路パターン上に半田固着されたチップ状の半導体素子とを具備する混成集積回路装置であって、前記半導体素子を半田固着する前記回路パターンの固着パッドに放射状の複数の溝が設けられていることを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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