特許

J-GLOBAL ID：200903095191899454

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： 森脇 克治 ,  原島 正成 ,  豊田 親義
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-294682
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134437
出願日： 2002年10月08日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】冷却溝によるエッチングレートむらの発生を防止する。【解決手段】GaAsウエハ1を静電チャック30の静電吸着部34によって保持した状態で、シリコン酸化膜2をエッチングするドライエッチング装置10において、静電吸着部34の表面には極浅い冷却溝35が形成されており、エッチング中にヘリウムガス給排装置40からヘリウムガス46を冷却溝35に供給してウエハ1の裏面に接触させることにより、ウエハ1を冷却する。【効果】冷却溝を浅く設定することで、溝の位置におけるウエハの表面の電位とプラズマ電位との電位差を冷却溝が無い位置における電位差と略同一にできるので、冷却溝が有る位置のエッチングレートを無い位置のそれと略同一に維持できる。エッチングレートをウエハの全面で均一化できるので、被エッチング面に冷却溝に対応したエッチングレートむらが形成される現象を防止できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板が静電吸着部に保持された状態で、処理が施される工程を備えている半導体装置の製造方法において、 前記静電吸着部の表面に極浅く形成された溝に冷媒を供給して前記基板に接触させることにより、前記処理中に前記基板を冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/68

FI (2件)：

H01L21/302 101R ,  H01L21/68 R

Fターム (19件)：

5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB12 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BC03 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DB03 ,  5F031CA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031HA40 ,  5F031MA32 ,  5F031NA04 ,  5F031PA11 ,  5F031PA30