特許

J-GLOBAL ID：200903095194870511

半導体装置

発明者： 阿部 康一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265739
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111849
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】同一層の配線間、上下層の配線間を問わずクロストークノイズが小さく抑えられ、誤動作の防止が図られた半導体装置を提供する。【解決手段】下層配線13,14,15と、これら下層配線13,14,15どうしの間に回り込むように形成されたシールド層16を有する層間絶縁膜12と、上層配線18と、絶縁膜17とを備えた。

請求項（抜粋）：

下層配線と、該下層配線上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成された上層配線と、該層間絶縁膜内に、同一層内の配線どうしの間に回り込むように形成されたシールド層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/82 W ,  H01L 27/04 D