特許
J-GLOBAL ID:200903095205375135

ゲ-ト電極の切り換え状態を監視するための方法および該方法を実施するための装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-300637
公開番号(公開出願番号):特開2000-196425
出願日: 1999年10月22日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 主電流回路(コレクタ-エミッタ)内でIGBTの実際の切り換え状態を監視できるIGBTの切り換え状態監視のための方法、ならびに該方法をきわめて簡単に実施できる装置を提供する。【解決手段】 絶縁されたゲート電極(IGBT)12を有する二極トランジスタの切り換え状態を監視するための方法において、前記ゲート電極は、コレクタ13およびエミッタ11で、主給電回路内のIGBT12の実際の切り換え状態を、IGBT12のコレクタ-エミッタ電圧14から中継信号3、3aを形成することによって監視する。該中継信号3、3aは、調節自在な閾値に対して監視され、制御電子装置へ導かれる。さらに、前記方法は、IGBT12の飽和解消の場合および/または挿入されたゲート電極ドライバー4の給電障害の場合に、自動的にIGBT12を制御することを含む。
請求項(抜粋):
ゲート-エミッタ電圧(10)に応じてゲート電極ドライバー(4)を制御し、またそのコレクタ-エミッタ電圧(14)がIGBT(12)の飽和解消監視に用いられる絶縁されたゲート電極を有し、ゲート電極ドライバー(4)から制御電子装置へ中継信号(3、3a)が送られる構成の二極トランジスタの切り換え状態を監視するための方法において、前記中継信号(3)が、IGBT(12)のコレクタ-エミッタ電圧(14)から形成されること、および、前記中継信号(3)が、調節自在な閾値に対して監視されることを特徴とする方法。
IPC (4件):
H03K 17/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02M 1/00
FI (3件):
H03K 17/00 B ,  H02M 1/00 A ,  H01L 27/04 T

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