特許
J-GLOBAL ID：200903095205826960
レジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117624
公開番号（公開出願番号）：特開平5-142788
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 サイドエッチを防止して微細なレジストパターンを形成することができる方法を提供する。【構成】 基板1上にレジスト層2を形成した後、レジスト層2にパターンを焼き付ける。次に、レジスト層2において焼き付けられた領域5のシリル化を行なうため、レジスト層をシリル化剤にさらす。シリル化の後、レジスト層を未現像の部分が残るよう途中まで現像する。焼き付けられた領域において現像により表出された部分のシリル化を行なう。ついで、未現像の部分を除去してレジストパターンを最終的に得る。
請求項（抜粋）：
レジスト層を形成するステップと、前記レジスト層上の領域を露光するステップと、前記レジスト層の露光された領域をシリル化するステップと、前記レジスト層の露光されなかった領域を途中まで除去して、露光された領域の部分を表出させるステップと、前記露光された領域の表出された部分をシリル化するステップと、前記露光されなかった領域の残りの部分を除去してレジストパターンを得る工程とを備える、レジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 512
, H01L 21/027
, H01L 21/302
