プラズマ反応装置、半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311884
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【目的】電子の高エネルギー化を達成し、異方性の良好なエッチングを行うことを目的とする。【構成】エッチング室3の側壁の下部を覆う導電体カバー10と、プラズマ生成室2の下部を覆っている絶縁体カバー11を設ける。導電体カバー10は接地される。導電体の方が絶縁体の場合に比べて電子は消滅しやすいために、絶縁体カバー11近傍と、導電体カバー10の近傍との間では電子密度の勾配がより強くなる。シースに入り込む時の電子は試料への方向に向かって高いエネルギーを有し、シース電界の影響は緩和され、試料9においてプラスイオンの電荷を中和する。【効果】エッチングの際にノッチングの発生を防止することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマを生成する生成室と、前記プラズマを利用して対象物の表面処理を行う反応室と、を備え、前記生成室の内、少なくとも前記プラズマが発生する領域よりも前記反応室に近い第1の領域において、前記生成室の内壁は絶縁性であり、前記反応室の内、前記対象物の近傍の第2の領域において前記反応室の内壁は導電性であるプラズマ反応装置。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平1-187919
特開平1-231322
特開平1-231321

全件表示

審査官引用 (5件)

特開平1-187919
特開平1-231322
特開平1-231321

全件表示

前のページに戻る