薄膜トランジスタ回路およびそれを用いた液晶表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358952
公開番号（公開出願番号）：特開平10-197896
出願日： 1996年12月30日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】多結晶シリコン半導体を用いた薄膜トランジスタを2個使って差動回路、カレントミラー回路を作製すする場合に、同一の特性を有する薄膜トランジスタを形成することが困難であった。【解決手段】差動回路102、カレントミラー回路101には、それぞれ4個の薄膜トランジスタ121乃至124および111乃至114を用いる。それぞれの回路の薄膜トランジスタの、基板上での配置を隣会う薄膜トランジスタを用いるのではなく、薄膜トランジスタ121と122は対象中心に対して対角になるように配置し、薄膜トランジスタ123と123も対角になるように配置する。

請求項（抜粋）：

第1入力信号が入力されるゲイト電極電位が共通の第1乃至第2n(n≧1、nは自然数)の薄膜トランジスタと第2入力信号が入力されるゲイト電極電位が共通の第2n+1乃至第2m(m≧n+1、mは自然数)の薄膜トランジスタを含む差動回路を少なくとも用いた薄膜トランジスタ回路において、第1入力信号が入力される前記第1乃至第2nの薄膜トランジスタのうち第j(2n-1≧j≧1、jは自然数)番目の薄膜トランジスタのチャネル形成領域と第j+1番目のトランジスタのチャネル形成領域は平面上で点対称に配置され、第2入力信号が入力される前記第2n+1乃至第2mの薄膜トランジスタのうち第i(2m-1≧i≧2n、iは自然数)番目の薄膜トランジスタのチャネル形成領域と第i+1番目のトランジスタのチャネル形成領域は平面上で点対称に配置され、前記第1乃至第2nの薄膜トランジスタのチャネル形成領域の対称中心と前記第2n+1乃至第2mの薄膜トランジスタのチャネル形成領域の対称中心が同じ点であることを特徴とする薄膜トランジスタ回路。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/133 550 , G02F 1/1345 , G09G 3/36 , H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/133 550 , G02F 1/1345 , G09G 3/36 , H01L 29/78 612 C

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