特許

J-GLOBAL ID：200903095216369480

半導体装置の製造方法

発明者： 大嶋 秀彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-002960
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191048
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 目的の膜質を有するTiN膜を容易に形成することができる。【構成】 スパッタ法によりシリコン基板1上にTiをスパッタしてTi膜3を形成した後、該Ti膜2を窒素雰囲気で熱処理を行うことにより該Ti膜2を窒化して該シリコン基板1上にTiN膜3を形成する半導体装置の製造方法において、Tiスパッタ時のアルゴンガス中に全圧に対して1%以上10%以下の範囲の窒素を添加する。

請求項（抜粋）：

スパッタ法によりシリコン基板(1)上にTiをスパッタしてTi膜(2)を形成した後、該Ti膜(2)を窒素雰囲気で熱処理を行うことにより該Ti膜(2)を窒化して該シリコン基板(1)上にTiN膜(3)を形成する半導体装置の製造方法において、Tiスパッタ時のアルゴンガス中に全圧に対して1%以上10%以下の範囲の窒素を添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/324