特許
J-GLOBAL ID：200903095219748740
ショットキバリア半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146840
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326925
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 単結晶半導体基体の平面状の主表面にショットキバリア金属を接触して設け、その接触面はバリアハイトの高い領域ではさむように形成することにより、順方向電圧降下及び逆方向電流が小さく、製造容易なショットキバリア半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 平面状の基体主表面に水素を含む半導体領域5を複数個、基体の領域をはさむごとく形成し、基体の領域及び水素を含む半導体領域にわたりショットキバリア金属3を接触して設ける。又、はさまれる基体の領域の幅を2μm以下とする。
請求項（抜粋）：
平面状をなす単結晶半導体基体の主表面に、水素を含む半導体領域を複数個、該基体の領域をはさむごとく形成し、該基体の領域、及び水素を含む半導体領域にわたり、ショットキバリア金属を接触して設け、水素を含む半導体領域と該金属のバリアハイトを該基体の領域と該金属のバリアハイトより大きくしたことを特徴とするショットキバリア半導体装置。
引用特許：
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