特許

J-GLOBAL ID：200903095225479409

リードフレーム、及びそれを用いた半導体装置

発明者： 吉岡 修
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059565
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252070
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 リードフレーム表面に形成されためっき層が熱によって酸化することにより、はんだ濡れ性やワイヤボンディング性が低下する。【解決手段】 リードフレーム基材3,6上にNiめっき及びNi合金めっきからなる下地層7と、Ni-P、Ni-B、或いはNi-Co合金からなる中間層8と、純度99.9%以上の金めっきの表層9を設ける

請求項（抜粋）：

Niめっき、或いはNi合金めっきによってリードフレーム基材上に形成される第1のめっき層と、Ni-P,Ni-B,或いはNi-Co合金より構成され、前記第1のめっき層上に0.02〜0.3μmの厚さで形成される第2のめっき層と、純度99.9%のAuより構成され、前記第2のめっき層上に0.2μm以下の厚さで形成される第3のめっき層を有することを特徴とするリードフレーム。

FI (2件)：

H01L 23/50 D ,  H01L 23/50 S