特許

J-GLOBAL ID：200903095231602204

半導体レーザ素子

発明者： 北村 祥司
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305152
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145173
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】短波長のレーザ光を得るために面発光レーザ素子上にSHG素子を一体として形成した構造の半導体レーザ素子とする。【構成】垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出射面の反射鏡上部に、一定の周期で分極を反転したLiNbO3 多層膜を積層し、またはLiNbO3 多層膜の上下両面にレーザ光の波長に対する反射鏡を設けて光共振器構造とすることにより、垂直共振器半導体レーザ素子とSHG素子とが一体として結合された青色発光可能な半導体レーザ素子とすることができる。

請求項（抜粋）：

垂直共振器型面発光半導体レーザ素子の光出射面に形成した半導体多層膜反射鏡上に、一定の周期で分極を反転したLiNbO3 多層膜を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。