特許

J-GLOBAL ID：200903095234763578

炭化ケイ素焼結体

発明者： 大月 正珠 ,  和田 宏明
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348570
公開番号（公開出願番号）：特開2000-169232
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：

【要約】【課題】 高密度で、その表面及び表面近傍に存在する酸化膜層中の無機不純物が少なく、半導体部材などに適する、炭化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素焼結体の表面及び酸化膜層に存在する金属不純物量が1.0×1011atoms/cm2 未満であり、密度が2.9g/cm3 で、且つ、体積抵抗率が1.0Ω・cm以下であることを特徴とする。この炭化ケイ素焼結体は、炭化ケイ素粉末と非金属焼結助剤の混合物を温度2000°C〜2400°C、圧力300〜700kgf/cm2 、非酸化性雰囲気下でホットプレス用する焼結工程と、前記焼結体を経た焼結体を洗浄液に浸漬し、除去しようとする不純物金属元素の酸化還元電位よりも正の電位を印加する洗浄工程とを有する製造方法により得られることが好ましい。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素焼結体の表面及びその近傍に存在する金属不純物量が1.0×1011atoms/cm2 未満であり、密度が2.9g/cm3 で、且つ、体積抵抗率が1.0Ω・cm以下であることを特徴とする炭化ケイ素焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/565 ,  B08B 3/04 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/10

FI (5件)：

C04B 35/56 101 A ,  B08B 3/04 Z ,  B08B 3/08 A ,  B08B 3/10 Z ,  C04B 35/56 101 X

Fターム (28件)：

3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201BB02 ,  3B201BB82 ,  3B201BB83 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB94 ,  3B201BB96 ,  3B201CB01 ,  3B201CB15 ,  3B201CC21 ,  4G001BA22 ,  4G001BA67 ,  4G001BB22 ,  4G001BB67 ,  4G001BB71 ,  4G001BC12 ,  4G001BC13 ,  4G001BC42 ,  4G001BC52 ,  4G001BC55 ,  4G001BC57 ,  4G001BC71 ,  4G001BC73 ,  4G001BD12 ,  4G001BD22 ,  4G001BE33