半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168483
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351908
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】プロセス温度を下げ、金属の放出による基板への影響を抑制し、成膜と前処理または後処理を効率よく行う。【解決手段】基板8を水平に保持して所定の処理を施す反応室1と、基板8を加熱するヒータ3と、基板8表面を挟んで略対向する位置に設けられ、基板8表面に略水平なフローを形成するガス供給口10A、10Bと排気口11A、11Bとを有し、反応室1内の前記フローの上流側にプラズマ源として放電用コイル12A、12Bを設け、該プラズマ源により生成した活性種を基板8と略平行に供給し、各プラズマ源により生成した活性種を、流れの向きを変えて所定回数流す。

請求項（抜粋）：

基板を水平に保持して所定の処理を施す反応室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記基板表面を挟んで略対向する位置に設けられ、前記基板表面に略水平なフローを形成するガス供給口と排気口とを有する半導体製造装置において、前記反応室内の前記フローの上流側にプラズマ源を設け、該プラズマ源により生成した活性種を前記基板と略平行に供給することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/40 , C23C 16/56 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/31 A , C23C 16/40 , C23C 16/56 , H01L 21/318 A

Fターム (46件)：

4K030BA17 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA04 , 4K030KA24 , 5F045AA08 , 5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045AB33 , 5F045AC11 , 5F045AF08 , 5F045BB07 , 5F045BB08 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045DP11 , 5F045EB06 , 5F045EB08 , 5F045EB15 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045EF20 , 5F045EG02 , 5F045EG05 , 5F045EH11 , 5F045EH18 , 5F045EJ02 , 5F045EJ05 , 5F045EN04 , 5F045HA16 , 5F045HA25 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF07 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF55 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BH03 , 5F058BH04

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