特許
J-GLOBAL ID：200903095236069199
量子井戸型広ストライプ半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中井 宏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-157612
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063288
出願日： 1991年05月31日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】簡易な構成で集光性に優れた量子井戸型広ストライプ半導体レーザを得る。【構成】ストライプ6a中央部の利得領域の長さL1を両側部L2より大きくなるように、量子井戸活性層1の端部に窓部8,8を形成した構成となっている。
請求項（抜粋）：
量子井戸型広ストライプ半導体レーザにおいて、ストライプ中央部の利得領域の長さを、その両側部よりも大きくなるように、量子井戸活性層の端部に窓部を形成したことを特徴とする量子井戸型広ストライプ半導体レーザ。
引用特許：
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