特許
J-GLOBAL ID：200903095236684381
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114600
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高い金属配線を実現する。【構成】 素子が形成された半導体基板1上に金属配線膜4を形成する工程と、金属配線膜4上に、レーザ光を透過するとともに金属配線膜からのレーザ光の反射を防止する材料からなる透過膜7を積層する工程と、積層された金属配線膜4及び透過膜7をパターニングする工程と、レーザ光15を照射して、パターニングされた金属配線膜4に短時間高温アニールを施す工程と、を備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
素子が形成された半導体基板上に金属配線膜を形成する工程と、前記金属配線膜上に、レーザ光を透過するとともに前記金属配線膜からの前記レーザ光の反射を防止する材料からなる透過膜を積層する工程と、積層された前記金属配線膜及び透過膜をパターニングする工程と、レーザ光を照射して、パターニングされた前記金属配線膜にアニールを施す工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 Z
, H01L 21/88 B
