特許
J-GLOBAL ID：200903095236892480
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法及びその評価方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121708
公開番号（公開出願番号）：特開平6-330298
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：
【要約】【目的】 使用開始から終了までスパッタレートが安定しているスパッタリングターゲットを提供する。【効果】 ターゲット表面側の金属組織を粗にボンディング側を密にする事により、エロージョン変化によるスパッタレート変化を、金属組織を変化させる事により相殺して、最初から終了までスパッタレート変化の無いターゲットを提供し、安定した光磁気媒体の製造を可能にした。
請求項（抜粋）：
スパッタリング用ターゲットの単相もしくは合金もしくは化合物の結晶粒径あるいは、焼結粒子径が厚み方向に分布をもち、表面部と裏面部のスパッタレートが異なっていることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
IPC (2件)：
前のページに戻る
