特許

J-GLOBAL ID：200903095237731464

半導体デバイスの製造方法

発明者： 齊藤 博文 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-110013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321313
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 MOSトランジスタ等における短チャネル効果の抑制、パンチスルーの防止機能を高める。【構成】 単結晶シリコン基板1の表面にゲート酸化膜2を形成し、このゲート酸化膜2上にゲート電極3、シリコン酸化膜4を積層形成すると共に、このシリコン酸化膜4をマスクにして、単結晶シリコン基板1内へイオン注入を行い、単結晶シリコン基板1の表面下に非晶質部分6a,6bを形成し、更に非晶質部分6a,6bの各テイル部6cを除く部分に不純物をイオン注入した後、熱処理して前記非晶質部分6a,6bを固相成長させて単結晶を回復させると共に、前記イオン注入した不純物を非晶質部分6a,6b及びそのテイル部6c内に拡散させて対向部分に薄い拡散層10c,10cを持つ拡散層10a,10bを形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の不純物領域に熱処理を施して非不純物領域に不純物を拡散させることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 L