特許

J-GLOBAL ID：200903095238506740

磁気配向装置および磁気配向方法

発明者： モスレヒ・メーダッド・エム. ,  チェング・シャン ,  デイビス・セシル・ジェイ. ,  ヘイマンソン・ドリアン
出願人/特許権者： シーブイシー プロダクツ, インク.
代理人 (1件)： 渡辺 昇
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-550614
公開番号（公開出願番号）：特表2002-516495
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】基材上の薄い磁性膜の磁気配向を自在に制御できるようにする。【解決手段】電磁石組立体(14)は、基材表面に凝着された薄い磁性膜(98)を、磁気配向する。この磁気配向は、薄い磁性層の凝着の過程、またはその後に続くアニーリングの過程等の低圧処理環境(16)で実行することができる。電磁石組立体は、基材に近接して配置された板状コア(40)と、このコアに異なる方向で巻かれた2つまたはそれ以上の電磁コイル(42,44)とを備えている。基材表面に沿う平面に、ある角度範囲にわたって実質的に単一軸の磁界を配向するために、これら電磁コイルを流れる電流が制御される(46,48)。

請求項（抜粋）：

基材表面の磁性膜を磁気配向するための薄膜処理用電磁石組立体であって、 基材表面に沿う平面と実質的に平行をなす表側の面と裏側の面とを有する板状コアと、 上記板状コアに第1の角度方向で巻かれた第1電磁コイルの第1巻き線層と、 上記第1電磁石の第1巻き線層と上記板状コアの両方に、第2角度方向で巻かれた第2電磁コイルの第1巻き線層と、 上記基材表面に沿う平面に実質的に単一軸の磁界を配向するために、上記第1,第2の電磁コイルを流れる相対的な電流量を制御する少なくとも1つの給電部とを備えたことを特徴とする電磁石組立体。

IPC (7件)：

H01F 7/20 ,  C23C 14/00 ,  C23C 14/58 ,  H01F 3/00 ,  H01F 5/00 ,  H01H 1/00 ,  B05D 5/12

FI (7件)：

H01F 7/20 Z ,  C23C 14/00 D ,  C23C 14/58 D ,  H01F 3/00 ,  H01F 5/00 E ,  H01H 1/00 ,  B05D 5/12 A

Fターム (10件)：

4D075BB21Z ,  4D075BB85Y ,  4D075BB99Z ,  4D075CA24 ,  4D075EB01 ,  4D075EB60 ,  4K029DA08 ,  4K029DC41 ,  4K029DC42 ,  4K029EA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-173819
  
• 特開昭63-093881
  
• 特開昭60-173819
  
• 特開昭63-093881