特許
J-GLOBAL ID:200903095245916074

デバイスの酸素および水分劣化を抑制する方法および得られるデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 河野 香 ,  樋口 洋 ,  柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-526984
公開番号(公開出願番号):特表2009-505371
出願日: 2006年08月09日
公開日(公表日): 2009年02月05日
要約:
デバイスの酸素および水分劣化を抑制する方法および得られるデバイスが本明細書に記載されている。デバイスの酸素および水分劣化を抑制するには、低液相線温度(または特定の実施形態では低ガラス転移温度)を通常は有する低液相線温度(LLT)材料を用いて、デバイス上にバリヤー層を形成させる。LLT材料は、例えば、スズ・フルオロフォスフェートガラス、カルコゲナイドガラス、テルライトガラスおよびホウ酸塩ガラスであってよい。LLT材料は、例えば、スパッタリング、蒸発、レーザーアブレーション、吹付け、流し込み、フリット溶着、蒸着、浸漬被覆、塗布またはロール塗、スピンコーティングあるいはそれらの任意の組合せによって、デバイスに付着させることができる。付着ステップによって起こるLLT材料の欠陥は、固化ステップ(熱処理)によって除去して、孔がなく気体および水分が浸透できない保護コーティングをデバイス上に形成させることができる。多くの付着方法が普通のガラス(すなわち、ホウ酸塩、ケイ酸塩、シリカなどのような溶融温度の高いガラス)の場合に可能であるが、固化ステップが実際に役立つのは、デバイス内の内層を損傷しないように固化温度が十分低いLLT材料の場合のみである。
請求項(抜粋):
デバイスの酸素および水分の浸透を抑制する方法であって、 前記デバイスの少なくとも一部を覆うように低液相線温度の無機材料を付着させるステップと、 前記デバイスの前記少なくとも一部を覆うように付着させた前記低液相線温度の無機材料を、酸素および水分のない環境で熱処理するステップと を有してなる方法。
IPC (3件):
H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (3件):
H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (9件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC23 ,  3K107EE46 ,  3K107EE48 ,  3K107FF00 ,  3K107FF05 ,  3K107FF14 ,  3K107GG37
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献:
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