特許

J-GLOBAL ID：200903095246291990

透明導電性積層体およびその製造方法

発明者： 坂井 ▲祥▼浩 ,  小山 正人 ,  吉開 正彰 ,  原田 祐一郎 ,  鈴木 彰 ,  中島 明美
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196442
公開番号（公開出願番号）：特開平10-034796
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】耐環境性に優れたエレクトロルミネッセンス用透明電極に適した透明導電性積層体およびその製造方法の提供。【解決手段】透明高分子基体(A)の一方の主面に、少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電膜層(B)と、銅からなる金属薄膜層(C)とを、ABCなる構成で連続成膜する際、銅成膜時に反応ガス中に5〜50vol%の水素を存在させる。

請求項（抜粋）：

透明高分子基体(A)の一方の主面に、少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電膜層(B)を積層し、該透明導電膜層(B)上に銅からなる金属薄膜層(C)を積層するに際して、反応ガス中に5〜50vol%の水素を添加することを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。

IPC (6件)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H05B 33/28

FI (6件)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  B32B 15/04 Z ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H05B 33/28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-227992