特許
J-GLOBAL ID：200903095247022348
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 雄太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-101238
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140904
出願日： 1991年05月07日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 プリチャージ型のパストランジスタ論理回路におけるトランジスタの縦積み段数を少なくして電荷の放電を速くすることにより遅延時間を小さくする。【構成】 n型MOSトランジスタ20〜23のドレインあるいはソースは直接グランドに接続されており、ゲートには2入力ANDゲート50〜53からクロック入力Φと信号P1〜P4の論理積の信号が入力されている。
請求項（抜粋）：
複数のn型MOSトランジスタを縦続接続した複数のnMOS回路を有し、該nMOS回路の一方の端をすべて接続し、この接続点と電源との間にp型MOSトランジスタを接続したプリチャージ型のパストランジスタ論理回路において、p型MOSトランジスタに接続されていないn型MOSトランジスタの端をグランドへ接続したことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H03K 19/017
, H03K 19/096
