特許
J-GLOBAL ID：200903095249530570
シリコンウェーハのウェット洗浄方法及びその熱酸化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214452
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078373
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェーハのウェット洗浄方法及びその熱酸化方法に関し、シリコンウェーハの表面に熱酸化膜を形成する際、熱酸化膜とシリコンウェーハの界面を平坦化し、この熱酸化膜をゲート酸化膜等として用いる半導体装置の特性を向上する手段を提供する。【構成】 異なる種類の洗浄液を用いた複数の洗浄工程からなるシリコンウェーハのウェット洗浄方法において、少なくとも硫酸過酸化水素水による洗浄工程を含み、この硫酸過酸化水素水による洗浄工程の後でアンモニア過酸化水素水を除く硝酸、塩酸過酸化水素水、過酸化水素水等の酸化性洗浄液によって洗浄して、シリコンウェーハの表面に硫酸過酸化水素水によって形成される化学酸化膜と同等の化学酸化膜を残してシリコンウェーハの表面を雰囲気から保護し、その後、酸化性雰囲気中で加熱してゲート酸化膜等として用いる熱酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
異なる種類の洗浄液を用いた複数の洗浄工程からなるシリコンウェーハのウェット洗浄方法において、少なくとも硫酸過酸化水素水による洗浄工程を含み、該硫酸過酸化水素水による洗浄工程の後でアンモニア過酸化水素水を除く酸化性洗浄液によって洗浄して該シリコンの表面に該硫酸過酸化水素水によって形成された化学酸化膜を残す工程を含むことを特徴とするシリコンウェーハのウェット洗浄方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/316
, H01L 29/78
