特許

J-GLOBAL ID：200903095251233590

被検査パターンの検査方法及び製造プロセス診断方法並びに半導体基板の製造方法

発明者： 前田 俊二 ,  田中 麻紀 ,  窪田 仁志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285368
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074812
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハの欠陥を検出する高感度な被検査パターンの検査方法、製造プロセス診断方法を提供する。【解決手段】同一となるように形成されたチップ20を複数個配置した被検査パターンの欠陥検査方法で、被検査パターンの定めたチップ20から画像信号9を検出し、この検出画像信号9に対して統計量からなる統計画像を生成し、この統計画像を比較に用いることによって欠陥を検出、或いは統計画像を用いてパターンのでき具合を定量化しプロセスの診断を行う。また、併せて畳み込み演算や複数画像の情報により画像の位置合わせを高精度に行う。

請求項（抜粋）：

繰返される被検査パターンから画像信号を検出し、この検出された画像信号から繰返される被検査パターンの統計量で示される統計情報を生成し、この生成された統計情報を用いて被検査パターンのでき具合を定量化することを特徴とする被検査パターンの検査方法。

IPC (6件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/00 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/88 ,  G01R 31/02 ,  G06T 7/00

FI (8件)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 Z ,  G01B 11/00 H ,  G01B 11/30 G ,  G01N 21/88 E ,  G01N 21/88 D ,  G01R 31/02 ,  G06F 15/62 405 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-065444
  
• 特開平4-109647