特許

J-GLOBAL ID：200903095257376601

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 小島 俊之 ,  戸村 善広 ,  小野 正浩 ,  板垣 峰広 ,  天見 和由 ,  柴田 修 ,  斎藤 龍一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-397328
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198384
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】フリップチップ実装技術を用いた半導体装置の製造方法において、生産工程の短時間化と安定化を目的とする。【解決手段】半導体製造方法において、仮固定用の絶縁性樹脂5で半導体素子1と回路基板2を固定して製造工程を行い、また本固定用の速硬化性の封止樹脂6を減圧注入法を用いて注入し、さらに本固定用の封止樹脂6を加圧しながら加熱硬化する。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造する方法であって、半導体素子の電極パッド上に形成された突起電極に導電性接着剤を付着する工程と、回路基板上に仮固定用の絶縁性樹脂を塗布する工程と、半導体素子を回路基板上に搭載する工程と、仮固定用の絶縁性樹脂を加熱硬化するとともに、導電性接着剤を加熱乾燥する工程と、液状の封止樹脂を半導体素子と回路基板との間に減圧注入する工程と、加圧しながら封止樹脂を加熱硬化する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/30 B

Fターム (19件)：

4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109BA07 ,  4M109CA05 ,  4M109CA22 ,  4M109DB15 ,  4M109EA11 ,  4M109EC20 ,  5F044LL07 ,  5F044LL11 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA02 ,  5F061BA04 ,  5F061BA07 ,  5F061CA05 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02