特許
J-GLOBAL ID：200903095258000958
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201131
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053107
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】この発明は、フォトレジスト膜における露光されていない部分の幅を露光された部分の幅より短くすることにより、素子を極微細化および高集積化する。【構成】シリコン基板11の表面上にゲ-ト酸化膜12を設け、このゲ-ト酸化膜12の上に多結晶シリコン層13を堆積する。この多結晶シリコン層13の上にネガ型のフォトレジスト膜14を塗布し、このフォトレジスト膜14の上方にフォトリソグラフィ用の第1のガラスマスクを設置する。この後、前記フォトレジスト膜14を前記第1のガラスマスクによって露光する。次に、前記フォトレジスト膜14における前記第1のガラスマスクによって露光されていない領域を第2のガラスマスク16により露光する。この後、前記フォトレジスト膜14を現像する。従って、素子を極微細化および高集積化することができる。
請求項（抜粋）：
導電層の上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜を第1のマスクにより露光する工程と、前記レジスト膜において前記第1のマスクによって露光されていない領域を第2のマスクにより露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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