特許

J-GLOBAL ID：200903095258868907

パワー半導体モジュール

発明者： 小泉 正博 ,  梶原 良一 ,  高橋 和弥 ,  守田 俊章
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-224029
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058745
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】AlワイヤとAuワイヤが混在するパワー半導体モジュールにおいて、両ワイヤの接合強度を向上する。【解決手段】Auめっき膜の厚さを0.2μm以下あるいは0.9μm以上にすることにより、腐食を起こさない金属間化合物の形成を可能にする。【効果】信頼性の高いパワー半導体モジュールを提供できる。

請求項（抜粋）：

Auワイヤによって半導体素子上のパッドと外部電極とが電気的接続されている半導体素子と、Alワイヤによって半導体素子上のパッドと外部電極とが電気的接続されている半導体素子とが混在されているパワー半導体モジュールにおいて、前記外部電極が平均厚さで0.2μm 以下のAu膜で形成されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 301 F ,  H01L 21/60 301 P

Fターム (3件)：

5F044AA03 ,  5F044FF04 ,  5F044FF05