特許
J-GLOBAL ID：200903095259837240
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052383
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259386
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 分極、分極反転による書き込み回数を増大させる。【構成】 n型半導体基板11上にジルコン酸チタン酸鉛バッファ膜12’をスパッタリング法で堆積してから、鉛を含む雰囲気中で熱処理する。バッファ膜12’上にジルコン酸チタン酸鉛膜12と白金膜13とを同じ方法で順次堆積してから、ホトリソグラフィー、逆スパッタリング法でパターニングし、ゲート絶縁膜14、ゲート電極15を形成する。さらに、燐をイオン注入してから熱処理する。これにより不純物層36,36’を形成する。【効果】 熱処理によって、ジルコン酸チタン酸鉛等の強誘電体薄膜の結晶成長の際、膜厚方向に複数個の結晶粒界が形成されないため、分極、分極反転を繰り返してもストレスによる機械的な微小クラックが発生しない。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の強誘電体薄膜を堆積する工程と、熱処理を行い、一様に前記第1の強誘電体薄膜の結晶方位を揃える工程と、前記第1の強誘電体薄膜上に第2の強誘電体薄膜を堆積する工程と、熱処理を行い、前記第2の強誘電体薄膜の結晶方位を揃える工程を含んでなる強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/04
, H01L 27/10 451
