特許
J-GLOBAL ID：200903095261486101

窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス及びその製造方法

発明者：
吉川 明彦

吉川 明彦 について

, 
徐 科

徐 科 について


出願人/特許権者：
千葉大学長

千葉大学長 について


代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-314057
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140339
出願日： 2003年09月05日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】一分子層レベルでの平坦性を有するエピタキシの実現が容易にできる窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるデバイスは、表面を窒化したc面サファイア基板1と、GaNバッファ層2と、N極性GaN層3と、N極性AlN層4と、N極性InN/InGaN多重層デバイス構造5と、Al極性AlN6と、GaNキャップ層7とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
InNそれ自体又はInNを主成分とした窒化物系ヘテロ構造を有し、少なくとも一部について窒素極性表面又はそれと同様な特性を有する表面となる結晶を有することを特徴とする窒化物系ヘテロ構造を有するデバイス。
IPC (3件)：
H01S5/343 ,  H01L21/203 ,  H01L29/205
FI (3件)：
H01S5/343 610 ,  H01L21/203 M ,  H01L29/205
Fターム (12件)：
5F073CA02 ,  5F073CA03 ,  5F073CA11 ,  5F073DA06 ,  5F073DA16 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ03 ,  5F103LL03 ,  5F103LL17
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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