特許
J-GLOBAL ID：200903095270991099
熱電気変換モジュールおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294348
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139526
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】大容量で任意の曲面に密着できる熱電気変換モジュールおよびそれを容易かつ安価に製造できる方法を提供する。【解決手段】多数の貫通孔22を有するハニカム構造体21の一方の表面において一つ置きの貫通孔の開口を閉塞材23によって閉塞し、N型半導体融液24に浸し閉塞されていない貫通孔に毛管作用によって吸引し冷却してN型半導体素子25を形成する。ハニカム構造体の反端側の表面においてN型半導体素子が形成されていない貫通孔の開口を閉塞材26で閉塞してP型半導体融液27に浸し、同様に吸引冷却してP型半導体素子28を形成する。ハニカム構造体から任意の形状の熱電気変換モジュールを切り出し、半導体素子を電極30, 32によってカスケード接続する。
請求項（抜粋）：
絶縁性の隔壁に囲まれた一方の表面から他方の表面に至るまで形成された複数の貫通孔を有する構造体の貫通孔の中に毛管作用により半導体融液を吸引して形成されたそれぞれ複数のN型半導体素子およびP型半導体素子とを具え、隣接するN型半導体素子または素子グループとP型半導体素子または素子グループとを、前記構造体の一方の表面および他方の表面において金属電極を介してカスケード接続したことを特徴とする熱電気変換モジュール。
IPC (3件)：
H01L 35/32
, H01L 35/16
, H01L 35/34
H01L 35/32 A
, H01L 35/16
, H01L 35/34
