特許
J-GLOBAL ID：200903095272916922
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000536
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182904
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は,フォトレジスト膜によるパターン形成方法に関し,フォトレジスト膜のシリル化を,効率良く,深い場所まで行って,厚い被エッチング膜のパターン形成を行うことを目的とする。【構成】 基板1上の被エッチング膜2にフォトレジスト膜3を被覆し,パターニングする工程と, フォトレジスト膜3を有機シラン液中に浸積,或いは有機シラン蒸気中に曝気して, シリル化する工程と, シリル化されたフォトレジスト膜4をマスクとして, 被エッチング膜2を厚さ方向に途中までエッチングする工程と, シリル化されたフォトレジスト膜4を再び,有機シラン液中に浸積, 或いは有機シラン蒸気中に曝気して, 再シリル化する工程と, 再シリル化されたフォトレジスト膜5をマスクとして, 被エッチング膜2を基板1が露出するまでエッチングする工程とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1) 上の被エッチング膜(2) にフォトレジスト膜(3) を被覆し, 該フォトレジスト膜(2) をパターニングする工程と,該フォトレジスト膜(3) を有機シラン液中に浸漬, 或いは有機シラン蒸気中に曝気して, 少なくとも該フォトレジスト膜(3) の表面をシリル化する工程と,シリル化された該フォトレジスト膜(3) をマスクとして, 該被エッチング膜(2) を厚さ方向に途中までエッチングする工程と,該フォトレジスト膜(3) を再び,有機シラン液中に浸漬, 或いは有機シラン蒸気中に曝気して, 該フォトレジスト膜(3) の表面を再シリル化する工程と,再シリル化された該フォトレジスト膜(3) をマスクとして, 該被エッチング膜(2) を基板(1) が露出するまでエッチングする工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
