特許

J-GLOBAL ID：200903095275234385

結晶成長方法

発明者： 柴田 真佐知 ,  今野 泰一郎
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091742
公開番号（公開出願番号）：特開平11-292679
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：

【要約】【課題】 溶液成長法でバルク結晶を容易に成長させることのできる結晶成長方法を提供する。【解決手段】 高温側の容器3内で溶質原料9が飽和するまで溶解した溶媒4を、GaAs単結晶の成長点に連続的に供給させることにより、低温側の容器6内で溶液成長法でバルク結晶を容易に成長させることができる。このとき、溶媒4を低温側の容器6と高温側の容器3との間で循環させ、結晶成長で消耗した原料を途中で補うことにより、少ない溶媒を有効に利用して、連続的に結晶成長を行わせることができる。

請求項（抜粋）：

溶液を冷却して過飽和になった溶質原料の結晶を成長させる方法において、溶媒を満たした2つの容器を連通させ、かつ各容器間に温度差を設け、高温側の容器内に飽和溶解量よりも多量の溶質原料を溶かして原料溶液を作製し、低温側の容器を、上記原料溶液が溶質原料を析出するときの温度に設定すると共に、各容器間の溶媒を循環させ、低温側の容器内で目的とする溶質原料の結晶を連続的に成長させることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 9/04 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 9/04 ,  C30B 29/40 501 Z ,  H01L 21/208 Z