特許
J-GLOBAL ID：200903095277787462
半導体慣性センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072960
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270718
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハの貼り合わせやレーザ加工が不要で大量生産に適し、容易で強力な陽極接合が実施でき、寄生容量が低く、高感度で高精度な半導体慣性センサを低コストで得る。【解決手段】 シリコンウェーハ21の片面に開口部20aを有する酸化膜20を形成し、ウエーハ21の残りの片面及び膜20の上にポリシリコン層22を形成する。膜20上の層22を選択的にエッチング除去して互いに分離した複数のポリシリコン領域22a,22b,22cを形成する。これらの領域を含む構造体23を凹部11を有するガラス基板10に接合する。ウェーハ21及び層22をエッチング除去した後、膜20を除去することにより、ガラス基板10に接合したポリシリコンからなる固定電極27,28と基板10の上方に浮動するポリシリコンからなる可動電極26とを有する半導体慣性センサ30を得る。
請求項（抜粋）：
ガラス基板(10)に凹部(11)を形成する工程と、シリコンウェーハ(21)の片面に開口部(20a)を有するシリコンを浸食せずにエッチング可能な膜(20)を形成する工程と、前記シリコンウエーハ(21)の残りの片面及び前記開口部(20a)を含む前記膜(20)の上にポリシリコン層(22)をそれぞれ形成する工程と、前記開口部(20a)を含む前記膜(20)上のポリシリコン層(22)を選択的にエッチング除去して互いに分離した複数のポリシリコン領域(22a,22b,22c)を形成する工程と、前記ポリシリコン領域(22a,22b,22c)、前記膜(20)、前記シリコンウエーハ(21)及び前記ポリシリコン層(22)からなる構造体(23)を前記ポリシリコン領域の一部(22b)が前記凹部(11)に対向するように前記ポリシリコン領域の一部(22a,22c)を介して前記ガラス基板(10)に接合する工程と、前記シリコンウェーハ(21)及びポリシリコン層(22)を前記膜(20)をエッチストップ層としてエッチング除去する工程と、前記膜(20)を除去することにより、前記ガラス基板(10)に接合したポリシリコンからなる一対の固定電極(27,28)と前記一対の固定電極(27,28)に挟まれかつ前記ガラス基板(10)の上方に浮動するポリシリコンからなる可動電極(26)とを有する半導体慣性センサ(30)を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01C 19/56
, G01P 9/04
H01L 29/84 Z
, G01C 19/56
, G01P 9/04
