特許

J-GLOBAL ID：200903095278943930

バンプとその形成方法、および半導体チップの接続方法

発明者： 大倉 秀章
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338474
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150559
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 接続不良や半導体チップへのダメージを防止して、接続の信頼性を向上させた接続構造を提供する。【解決手段】 スタッドバンピング法により、半導体チップ1の電極上にバンプ台座部2aと、これより小径のバンプ先端部2bとからなる金のバンプ2を形成する。ついで、円柱状部材3を回転させながら、かつチップ電極面に平行に移動させながら、その外周面をバンプ先端部2bに圧接させることにより、バンプ先端部2bを同一方向に、かつチップ電極面側に傾倒させる。これにより、バンプ先端部が曲がっており、バンプ先端部の頂部とバンプ台座部の上面との間隔Dが10μm以上30μm以下であり、かつバンプ先端部が、チップ電極の平面視においてバンプ台座部とチップ電極との接合面内(R内)に位置しているバンプが得られる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの接続構造を構成するために半導体チップの電極上に多数設けられるバンプにおいて、それぞれのバンプの先端部が曲がっており、バンプ先端部の頂部とバンプ台座部の上面との間隔が10μm以上30μm以下であり、かつバンプ先端部が、前記電極の平面視においてバンプ台座部と前記電極との接合面内に位置していることを特徴とするバンプ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 604 J

Fターム (4件)：

5F044KK01 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04